Obiettivo di titanio di Gr1 Gr2, disco di titanio puro che farfuglia alta densità dell'obiettivo

disco di titanio di titanio puro di alta qualità Gr1 Gr2 che farfuglia obiettivo

Il materiale di obiettivo è il materiale di obiettivo bombardato dalle particelle fatte pagare ad alta velocità. Ci sono metalli, leghe, gli ossidi, ecc. sostituiscono i materiali di obiettivo differenti (quali alluminio, rame, acciaio inossidabile, il titanio, gli obiettivi del nichel, ecc.), voi possono ottenere i sistemi differenti del film (quali il film super-duro, resistente all'uso, anticorrosivo della lega, ecc.).

(1) obiettivi del metallo: obiettivo del nichel, Ni, obiettivo di titanio, Ti, obiettivo dello zinco, Zn, obiettivo del cromo, Cr, obiettivo del magnesio, mg, obiettivo del niobio, N.B.:, obiettivo della latta, Sn, obiettivo di alluminio, Al, obiettivo dell'indio, dentro, obiettivo del ferro, Fe, obiettivo di alluminio dello zirconio, ZrAl, obiettivo di alluminio di titanio, TiAl, obiettivo dello zirconio, Zr, obiettivo di alluminio del silicio, AlSi, obiettivo del silicio, si, Cu di rame dell'obiettivo, obiettivo T, a, obiettivo del germanio, GE, obiettivo d'argento, AG, obiettivo del cobalto, Co, obiettivo dell'oro, Au, obiettivo del gadolinio, Gd, obiettivo del lantanio, La, obiettivo del tantalio dell'ittrio, Y, obiettivo del cerio, Ce, obiettivo del tungsteno, w, obiettivo di acciaio inossidabile, obiettivo del nichel-cromo, NiCr, obiettivo dell'afnio, HF, obiettivo del molibdeno, Mo, obiettivo del ferro-nichel, FeNi, obiettivo del tungsteno, W, ecc.

(2) obiettivi ceramici: Obiettivo di ITO, obiettivo dell'ossido di magnesio, obiettivo dell'ossido di ferro, obiettivo del nitruro di silicio, obiettivo del carburo di silicio, obiettivo di titanio del nitruro, obiettivo dell'ossido di cromo, obiettivo dell'ossido di zinco, obiettivo del solfuro dello zinco, obiettivo del diossido di silicio, un obiettivo dell'ossido di silicio, obiettivo dell'ossido del cerio, obiettivo del diossido di zirconio, obiettivo del pentossido del niobio, obiettivo del biossido di titanio, obiettivo del diossido di zirconio, obiettivo del diossido dell'afnio, obiettivo di titanio di diboride, obiettivo di diboride dello zirconio, obiettivo del triossido del tungsteno, obiettivo dell'ossido di alluminio, ossido del tantalio, obiettivo del pentossido del niobio, obiettivo del fluoruro del magnesio, obiettivo del fluoruro dell'ittrio, obiettivo del seleniuro dello zinco, obiettivo del nitruro di alluminio, obiettivo del nitruro di silicio, obiettivo del nitruro di boro, obiettivo di titanio del nitruro, silicio obiettivo del carburo, obiettivo del niobato di litio, obiettivo del titanato del praseodimio, obiettivo del titanato del bario, obiettivo del titanato del lantanio, obiettivo dell'ossido del nichel, farfugliante obiettivo, ecc.

2. I requisiti prestazionali principali dell'obiettivo

(1) purezza

La purezza è uno degli indicatori di efficacia principali dell'obiettivo, perché la purezza dell'obiettivo ha una grande influenza sulla prestazione del film. Tuttavia, nelle applicazioni pratiche, i requisiti della purezza dei materiali di obiettivo sono inoltre differenti. Per esempio, con lo sviluppo rapido dell'industria della microelettronica, la dimensione delle lastre di silicio si è sviluppata da 6", 8" a 12' e la larghezza fissante è stata ridotta da 0.5um a 0.25um, a 0.18um o persino a 0.13um, la purezza precedente dell'obiettivo di 99,995% può soddisfare le richieste tecniche di 0.35umIC e la preparazione delle linee 0.18um richiede 99,999% o persino 99,9999% per la purezza dell'obiettivo.

(2) contenuto di impurità

Le impurità nel solido dell'obiettivo e nell'ossigeno e nel vapore acqueo nei pori sono le fonti di inquinamento principali per il film depositato. Gli obiettivi differenti hanno requisiti differenti dei contenuti di impurità differenti. Per esempio, gli obiettivi puri della lega di alluminio e dell'alluminio utilizzati nell'industria a semiconduttore hanno requisiti speciali del contenuto alcalino-metallico e del contenuto dell'elemento radioattivo.

(3) densità

Per ridurre i pori nei solidi dell'obiettivo e per migliorare la prestazione del film farfugliato, l'obiettivo è richiesto solitamente per avere un più ad alta densità. La densità dell'obiettivo non solo colpisce il tasso farfugliare, ma inoltre colpisce le proprietà elettriche ed ottiche del film. Più alta la densità dell'obiettivo, migliore la prestazione del film. Inoltre, aumentare la densità e la forza dell'obiettivo permette che l'obiettivo resista meglio allo stress termico durante farfugliare. La densità è inoltre uno degli indicatori di efficacia chiave dell'obiettivo.

(4) granulometria e distribuzione di granulometria

Il materiale di obiettivo è solitamente policristallino e la granulometria può essere sull'ordine dei micron ai millimetri. Per lo stesso materiale di obiettivo, il tasso farfugliare dell'obiettivo con le grane fini è più veloce di quello dell'obiettivo con i cereali a grana grossa; lo spessore del film depositato farfugliando l'obiettivo con una piccola differenza nella granulometria (distribuzione uniforme) è più uniforme.

3. Materiale

TA0, TA1, TA2, TA9, TA10, ZR2, ZR0, GR5, GR2, GR1, TC11, TC6, TC4, TC3, TC2, TC1

4. Scopo

È ampiamente usato nei rivestimenti decorativi, nei rivestimenti resistenti all'uso, in CD e in VCDs nell'industria elettronica come pure nei vari rivestimenti del disco magnetico.

i film del Tungsteno-titanio (W-Ti) ed i film basati della lega del tungsteno-titanio (W-Ti) sono film ad alta temperatura della lega con una serie di proprietà eccellenti insostituibili. Il tungsteno ha proprietà quale il coefficiente ad alta resistenza e minimo ad elevato punto di fusione del punto, di espansione termica. Con Ti la lega ha il coefficiente di resistenza basso, la buona stabilità termica e resistenza di ossidazione. Quali i vari dispositivi richieda i collegamenti del metallo che svolgono un ruolo conduttivo, quale Al, Cu e l'AG è stato ampiamente usato e ricercato. Tuttavia, il metallo fissante stesso facilmente è ossidato, reagisce con l'ambiente circostante ed ha adesione difficile allo strato dielettrico. È facile da diffondersi nei materiali del substrato dei dispositivi quali il si e SiO2 e formerà il metallo ed il si ad una temperatura più insufficiente. I composti, che fungono da impurità, notevolmente degradano la prestazione del dispositivo. La lega del W-Ti è facile essere utilizzata come barriera di diffusione fissante dovuto le proprietà termomeccaniche stabili, la mobilità di elettrone bassa, l'alta resistenza della corrosione e la stabilità chimica, particolarmente adatte per uso negli ambienti a corrente forte ed ad alta temperatura.

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3.Factory & certificato

4.Package & consegna

pacchetto:

Avvolga il materiale di obiettivo del Ti con il cotone della perla e mettalo in una scatola di legno. Il nostro metodo d'imballaggio ragionevole può evitare i materiali di obiettivo dallo scontrarsi a vicenda durante il trasporto e può anche impedire l'impatto delle merci esterne sul prodotto ed assicura che il prodotto sia consegnato dopo integrità della consegna.

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